APT19M120J Fiche technique
Spécifications pour APT19M120J
Numéro d'article :
APT19M120J
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Séries :
POWER MOS 8™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
9670pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
545W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur :
ISOTOP®
Paquet / caisse :
SOT-227-4, miniBLOC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-APT19M120J
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
83872 Pièces
Prix de référence
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