APTM120H140FT1G Fiche technique
Spécifications pour APTM120H140FT1G
Numéro d'article :
APTM120H140FT1G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3812pF @ 25V
Puissance - Max :
208W
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP1
Package d'appareils du fournisseur :
SP1
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-APTM120H140FT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
71904 Pièces
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