APTM20HM20STG Fiche technique
Spécifications pour APTM20HM20STG
Numéro d'article :
APTM20HM20STG
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
89A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
112nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6850pF @ 25V
Puissance - Max :
357W
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP4
Package d'appareils du fournisseur :
SP4
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-APTM20HM20STG
Fabricant
Brève description
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
32160 Pièces
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