BSC0910NDIATMA1 Fiche technique
Spécifications pour BSC0910NDIATMA1
Numéro d'article :
BSC0910NDIATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 12V
Puissance - Max :
1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TISON-8
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-BSC0910NDIATMA1
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
671944 Pièces
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