DGD2104AS8-13 Fiche technique
Spécifications pour DGD2104AS8-13
Numéro d'article :
DGD2104AS8-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Configuration pilotée :
Half-Bridge
Type de canal :
Synchronous
Nombre de conducteurs :
2
Type de porte :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation :
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) :
210mA, 360mA
Type d'entrée :
Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) :
600V
Temps de montée / descente (type) :
100ns, 50ns
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-DGD2104AS8-13
Fabricant
Brève description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
34144 Pièces
Prix de référence
Notre prix
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