DMN10H170SFDE-13 Fiche technique
Spécifications pour DMN10H170SFDE-13
Numéro d'article :
DMN10H170SFDE-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1167pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
660mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse :
6-UDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-DMN10H170SFDE-13
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3531955 Pièces
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