DMN2500UFB4-7 Fiche technique
Spécifications pour DMN2500UFB4-7
Numéro d'article :
DMN2500UFB4-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
810mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
60.67pF @ 16V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
460mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
X2-DFN1006-3
Paquet / caisse :
3-XFDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-DMN2500UFB4-7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
7793443 Pièces
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