DMN3135LVT-7 Fiche technique
Spécifications pour DMN3135LVT-7
Numéro d'article :
DMN3135LVT-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
305pF @ 15V
Puissance - Max :
840mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur :
TSOT-26
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-DMN3135LVT-7
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3524542 Pièces
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