DMN63D1LV-13 Fiche technique
Spécifications pour DMN63D1LV-13
Numéro d'article :
DMN63D1LV-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.392nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
30pF @ 25V
Puissance - Max :
940mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-563
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-DMN63D1LV-13
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4290531 Pièces
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