ECH8657-TL-H Fiche technique
Spécifications pour ECH8657-TL-H
Numéro d'article :
ECH8657-TL-H
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 35V 4.5A ECH8
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
35V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
230pF @ 20V
Puissance - Max :
1.5W
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur :
8-ECH
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-ECH8657-TL-H
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 35V 4.5A ECH8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
2886842 Pièces
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