Spécifications pour ECH8668-TL-H

Numéro d'article : ECH8668-TL-H
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 10V
Puissance - Max : 1.5W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : 8-ECH
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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