Spécifications pour ES07B-GS18

Numéro d'article : ES07B-GS18
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.2A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 980mV @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 4pF @ 4V, 50MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : DO-219AB (SMF)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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