FDG311N Fiche technique
Spécifications pour FDG311N
Numéro d'article :
FDG311N
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
750mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SC-88 (SC-70-6)
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-FDG311N
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3709685 Pièces
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