FGA50N100BNTD2 Fiche technique
Spécifications pour FGA50N100BNTD2
Numéro d'article :
FGA50N100BNTD2
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
NPT and Trench
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
50A
Courant - collecteur pulsé (Icm) :
200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 60A
Puissance - Max :
156W
Énergie de commutation :
-
Type d'entrée :
Standard
Charge de la porte :
257nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C :
34ns/243ns
Condition de test :
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) :
75ns
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur :
TO-3P
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-FGA50N100BNTD2
Fabricant
Brève description
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
88016 Pièces
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