FMM60-02TF Fiche technique
Spécifications pour FMM60-02TF
Numéro d'article :
FMM60-02TF
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
Séries :
HiPerFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
Puissance - Max :
125W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
i4-Pac™-5
Package d'appareils du fournisseur :
ISOPLUS i4-PAC™
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-FMM60-02TF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
64071 Pièces
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