FQT7N10TF Fiche technique
Spécifications pour FQT7N10TF
Numéro d'article :
FQT7N10TF
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Séries :
QFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-223-4
Paquet / caisse :
TO-261-4, TO-261AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-FQT7N10TF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3144624 Pièces
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