GA05JT01-46 Fiche technique
Spécifications pour GA05JT01-46
Numéro d'article :
GA05JT01-46
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
TRANS SJT 100V 9A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
-
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
20W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-46
Paquet / caisse :
TO-46-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-GA05JT01-46
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 100V 9A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
53184 Pièces
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