HTNFET-T Fiche technique
Spécifications pour HTNFET-T
Numéro d'article :
HTNFET-T
Fabricant :
Honeywell Aerospace
La description :
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Séries :
HTMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 28V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
50W (Tj)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
4-Power Tab
Paquet / caisse :
4-SIP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-HTNFET-T
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
59134 Pièces
Prix de référence
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