HUF76609D3ST Fiche technique
Spécifications pour HUF76609D3ST
Numéro d'article :
HUF76609D3ST
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Séries :
UltraFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
425pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
49W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-252AA
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-HUF76609D3ST
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1579669 Pièces
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