IRFD213 Télécharger la fiche technique PDF - MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

Spécifications pour IRFD213

Numéro d'article : IRFD213

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 450mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 270mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paquet / caisse : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Poids : -

État : Nouveau et original

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Référence fabricant

IRFD213

Numéro de pièce interne

ABC-IRFD213

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

79776 Pièces

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IRFD213 Fiche technique

Spécifications pour IRFD213

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