IRFH7004TR2PBF Fiche technique
Spécifications pour IRFH7004TR2PBF
Numéro d'article :
IRFH7004TR2PBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Séries :
HEXFET®, StrongIRFET™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
194nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6419pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
156W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse :
8-VQFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-IRFH7004TR2PBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
63680 Pièces
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