MCB40P1200LB Fiche technique
Spécifications pour MCB40P1200LB
Numéro d'article :
MCB40P1200LB
Fabricant :
IXYS
La description :
POWER MOSFET
Séries :
CoolMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
-
Température de fonctionnement :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
9-SMD Power Module
Package d'appareils du fournisseur :
SMPD
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-MCB40P1200LB
Fabricant
Brève description
POWER MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
26061 Pièces
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