MMIX2F60N50P3 Fiche technique
Spécifications pour MMIX2F60N50P3
Numéro d'article :
MMIX2F60N50P3
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH
Séries :
HiPerFET™, Polar3™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6250pF @ 25V
Puissance - Max :
320W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
24-SMD Module, 9 Leads
Package d'appareils du fournisseur :
24-SMPD
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-MMIX2F60N50P3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
43225 Pièces
Prix de référence
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