MURT10060R Fiche technique
Spécifications pour MURT10060R
Numéro d'article :
MURT10060R
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Configuration de la diode :
-
Type de diode :
Standard, Reverse Polarity
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) :
100A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.7V @ 100A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
75ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
25µA @ 50V
Température de fonctionnement - Jonction :
-40°C ~ 175°C
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Three Tower
Package d'appareils du fournisseur :
Three Tower
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-MURT10060R
Fabricant
Brève description
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
34144 Pièces
Prix de référence
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