NP100P04PDG-E1-AY Fiche technique
Spécifications pour NP100P04PDG-E1-AY
Numéro d'article :
NP100P04PDG-E1-AY
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
320nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
15100pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
50336 Pièces
Prix de référence
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