NTJD4105CT1G Fiche technique
Spécifications pour NTJD4105CT1G
Numéro d'article :
NTJD4105CT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N and P-Channel
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V, 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
46pF @ 20V
Puissance - Max :
270mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-NTJD4105CT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
5580981 Pièces
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