NVMFS5C680NLT1G Fiche technique

Spécifications pour NVMFS5C680NLT1G

Numéro d'article : NVMFS5C680NLT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : T6 60V S08FL SINGLE
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.1A (Ta), 21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 13µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.4W (Ta), 24W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
NVMFS5C680NLT1G
Numéro de pièce interne
ABC-NVMFS5C680NLT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
T6 60V S08FL SINGLE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
2313164 Pièces
Prix de référence
USD 0
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