RJM0603JSC-00#13 Fiche technique
Spécifications pour RJM0603JSC-00#13
Numéro d'article :
RJM0603JSC-00#13
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 10V
Puissance - Max :
54W
Température de fonctionnement :
175°C
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
20-HSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-RJM0603JSC-00#13
Fabricant
Brève description
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
60710 Pièces
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