RQ1A060ZPTR Fiche technique
Spécifications pour RQ1A060ZPTR
Numéro d'article :
RQ1A060ZPTR
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 6V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
700mW (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TSMT8
Paquet / caisse :
8-SMD, Flat Lead
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-RQ1A060ZPTR
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
2129631 Pièces
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