SCT3160KLGC11 Fiche technique
Spécifications pour SCT3160KLGC11
Numéro d'article :
SCT3160KLGC11
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
208 mOhm @ 5A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
398pF @ 800V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
103W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247N
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SCT3160KLGC11
Fabricant
Brève description
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
78660 Pièces
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