SI5902BDC-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI5902BDC-T1-E3
Numéro d'article :
SI5902BDC-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 15V
Puissance - Max :
3.12W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur :
1206-8 ChipFET™
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SI5902BDC-T1-E3
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1050455 Pièces
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