SI6968BEDQ-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI6968BEDQ-T1-E3
Numéro d'article :
SI6968BEDQ-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-TSSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SI6968BEDQ-T1-E3
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
997934 Pièces
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