SI8429DB-T1-E1 Fiche technique
Spécifications pour SI8429DB-T1-E1
Numéro d'article :
SI8429DB-T1-E1
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 5V
Vgs (Max) :
±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1640pF @ 4V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
4-Microfoot
Paquet / caisse :
4-XFBGA, CSPBGA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SI8429DB-T1-E1
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1416982 Pièces
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