SIA537EDJ-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIA537EDJ-T1-GE3
Numéro d'article :
SIA537EDJ-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N and P-Channel
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
12V, 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
455pF @ 6V
Puissance - Max :
7.8W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SIA537EDJ-T1-GE3
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
2509955 Pièces
Prix de référence
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