SIB410DK-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIB410DK-T1-GE3
Numéro d'article :
SIB410DK-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquet / caisse :
PowerPAK® SC-75-6L
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SIB410DK-T1-GE3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
79360 Pièces
Prix de référence
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