SQJQ904E-T1_GE3 Fiche technique
Spécifications pour SQJQ904E-T1_GE3
Numéro d'article :
SQJQ904E-T1_GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
5900pF @ 20V
Puissance - Max :
75W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SQJQ904E-T1_GE3
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
418838 Pièces
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