SSM6N56FE,LM Fiche technique
Spécifications pour SSM6N56FE,LM
Numéro d'article :
SSM6N56FE,LM
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
55pF @ 10V
Puissance - Max :
150mW
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
ES6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SSM6N56FE,LM
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
7793443 Pièces
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