STL7N10F7 Fiche technique
Spécifications pour STL7N10F7
Numéro d'article :
STL7N10F7
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT
Séries :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.9W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-STL7N10F7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
655760 Pièces
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