STS3P6F6 Télécharger la fiche technique PDF - MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Spécifications pour STS3P6F6

Numéro d'article : STS3P6F6

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 48V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.7W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Référence fabricant

STS3P6F6

Numéro de pièce interne

ABC-STS3P6F6

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

50976 Pièces

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Numéro d'article	Marque	La description
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STS3P6F6 Fiche technique

Spécifications pour STS3P6F6

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