STWA50N65DM2AG Fiche technique
Spécifications pour STWA50N65DM2AG
Numéro d'article :
STWA50N65DM2AG
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
POWER TRANSISTORS
Séries :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
300W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-STWA50N65DM2AG
Fabricant
Brève description
POWER TRANSISTORS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
146256 Pièces
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