Spécifications pour TC6321T-V/9U

Numéro d'article : TC6321T-V/9U
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V, 200pF @ 25V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-VDFN (6x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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