TK17N65W,S1F Fiche technique
Spécifications pour TK17N65W,S1F
Numéro d'article :
TK17N65W,S1F
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Séries :
DTMOSIV
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
17.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 900µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
165W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-TK17N65W,S1F
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
211936 Pièces
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