TK4A65DA(STA4,Q,M) Fiche technique
Spécifications pour TK4A65DA(STA4,Q,M)
Numéro d'article :
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
Séries :
π-MOSVII
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
35W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220SIS
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
51072 Pièces
Prix de référence
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