TPH3212PS Fiche technique
Spécifications pour TPH3212PS
Numéro d'article :
TPH3212PS
Fabricant :
Transphorm
La description :
GANFET N-CH 650V 27A TO220
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 400uA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1130pF @ 400V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
104W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-TPH3212PS
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 27A TO220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
60327 Pièces
Prix de référence
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