TPH5200FNH,L1Q Fiche technique
Spécifications pour TPH5200FNH,L1Q
Numéro d'article :
TPH5200FNH,L1Q
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
Séries :
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
78W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-TPH5200FNH,L1Q
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
544985 Pièces
Prix de référence
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