TPS1100PW Télécharger la fiche technique PDF - MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Spécifications pour TPS1100PW

Numéro d'article : TPS1100PW

Fabricant : T-I

La description : MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 15V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.27A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V

Vgs (Max) : +2V, -15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 504mW (Ta)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP

Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Référence fabricant

TPS1100PW

Numéro de pièce interne

ABC-TPS1100PW

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

680148 Pièces

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Produits associés pour TPS1100PW T-I

Numéro d'article	Marque	La description
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XCR3512XL-7FTG256C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 7NSNS 256BGA
XCR3512XL-10PQ208I	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 9NS 208QFP
EPM7128AETC144-5N	Intel	IC CPLD 128MC 5NS 144TQFP
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M4A3-512/192-10FANI	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA
EPM7128AEFC100-5	Intel	IC CPLD 128MC 5NS 100FBGA
EPM7512AEQC208-12N	Intel	IC CPLD 512MC 12NS 208QFP

TPS1100PW Fiche technique

Spécifications pour TPS1100PW

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