TSM4ND60CI Fiche technique
Spécifications pour TSM4ND60CI
Numéro d'article :
TSM4ND60CI
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
582pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
41.6W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
ITO-220
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-TSM4ND60CI
Fabricant
Brève description
600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
574252 Pièces
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