Spécifications pour UPA2630T1R-E2-AX

Numéro d'article : UPA2630T1R-E2-AX
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET P-CH 12V 7A 6SON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1260pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON (2x2)
Paquet / caisse : 6-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET P-CH 12V 7A 6SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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