Spécifications pour UPA2690T1R-E2-AX

Numéro d'article : UPA2690T1R-E2-AX
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel Complementary
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
Puissance - Max : 2.3W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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