2SJ661-DL-1E Fiche technique
Spécifications pour 2SJ661-DL-1E
Numéro d'article :
2SJ661-DL-1E
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 60V 38A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
38A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4360pF @ 20V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263-2
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-2SJ661-DL-1E
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 38A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
494116 Pièces
Prix de référence
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